SI8282CC-IS

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Spezifikation

Artikelnummer

SI8282CC-IS
Hersteller / Marke

Energy Micro (Silicon Labs)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SI8282CC-IS.pdf
ECAD -Modell
Spannungsversorgung

2.8 V ~ 5.5 V
Spannung - Isolation

5000Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

-
Technologie

Capacitive Coupling
Supplier Device-Gehäuse

20-SOIC
Serie

Automotive, AEC-Q100
Aufstieg / Fallzeit (Typ)

5.5ns, 8.5ns
Pulsbreite Verzerrung (Max)

5ns
Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max)

50ns, 50ns
Verpackung

-
Verpackung / Gehäuse

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Andere Namen

336-5067
Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C
Anzahl der Kanäle

1
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
detaillierte Beschreibung

4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 20-SOIC
Strom - Spitzenausgang

4A
Strom - hoch, niedrig

2.5A, 3A
Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.)

35kV/µs
Zulassungen

CQC, CSA, UL, VDE

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2025/02/8

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Beschreibung: DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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