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6711459SI88244ED-IS-Bild.Energy Micro (Silicon Labs)

SI88244ED-IS

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI88244ED-IS
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 5.5 V
  • Spannung - Isolation
    5000Vrms
  • Art
    General Purpose
  • Technologie
    Capacitive Coupling
  • Supplier Device-Gehäuse
    20-SOIC
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    2.5ns, 2.5ns
  • Pulsbreite Verzerrung (Max)
    4.8ns (Typ)
  • Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max)
    12.6ns, 17.5ns (Typ)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Andere Namen
    336-3243
    SI88244ED-IS-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C
  • Anzahl der Kanäle
    4
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Isolierte Macht
    No
  • Eingänge - Seite 1 / Seite 2
    0/4
  • detaillierte Beschreibung
    General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 4 Channel 100Mbps 40kV/µs CMTI 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Datenrate
    100Mbps
  • Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.)
    40kV/µs
  • Ladestrom
    Unidirectional
SI88243ED-IS

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Beschreibung: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI88321EC-ISR

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Beschreibung: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI88243EC-IS

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SI88244EC-ISR

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SI88320BC-IS

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SI88321BC-ISR

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SI88243EC-ISR

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SI88242ED-IS

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SI88320EC-IS

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SI88243ED-ISR

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SI88244EC-IS

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SI88242ED-ISR

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SI88244ED-ISR

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SI8824EDB-T2-E1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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