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1449513H11A4M-V-Bild.Everlight Electronics

H11A4M-V

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    H11A4M-V
  • Hersteller / Marke
    Everlight Electronics
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    H11A4M-V.pdf
  • Spannung - Ausgabe (max)
    80V
  • Spannung - Isolation
    5000Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.2V
  • VCE Sätttigung (max)
    400mV
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    3µs, 3µs
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-DIP
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • Ausgabetyp
    Transistor with Base
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 110°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    10% @ 10mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    -
  • Strom - Ausgang / Kanal
    -
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    60mA

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H11A4S1(TA)-V

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Hersteller: Everlight Electronics
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H11A4S(TB)-V

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Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

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H11A4S1(TB)

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Hersteller: Everlight Electronics
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H11A4M

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Hersteller: Lite-On, Inc.
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RFQ
H11A4S1(TA)

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Hersteller: Everlight Electronics
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RFQ
H11A4FR2VM

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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H11A4FM

H11A4FM

Beschreibung: OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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H11A4S(TB)

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Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics
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H11A4S-TA1

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H11A43S

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H11A4S

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H11A4FR2M

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H11A4M

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H11A4S(TA)

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H11A4300W

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H11A4S(TA)-V

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