Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N3766R
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4596604

1N3766R

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$7.287
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N3766R
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.1N3766R.pdf
    2.1N3766R.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard, Reverse Polarity
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    35A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-5
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • Andere Namen
    1N3766RGN
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    1N3766R
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard, Reverse Polarity 800V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 50V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.2V @ 35A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    800V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 190°C

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "1N3766R" -Einziper.
1N3768

1N3768

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3767R

1N3767R

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3744

1N3744

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
1N3767

1N3767

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3765R

1N3765R

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 700V 35A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3821

1N3821

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1W DO-41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N3744R

1N3744R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
1N3766R

1N3766R

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3743R G BK G

1N3743R G BK G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Opto Division
vorrätig
RFQ
1N3766

1N3766

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3767

1N3767

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 35A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3768

1N3768

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3743R

1N3743R

Beschreibung: RECTIFIER STUD MOUNT DO-9

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
1N3766

1N3766

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 35A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3768R

1N3768R

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3768R

1N3768R

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3743 G R G

1N3743 G R G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Opto Division
vorrätig
RFQ
1N3767R

1N3767R

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N3765

1N3765

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 35A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3779

1N3779

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.