GA03JT12-247

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Spezifikation

Artikelnummer

GA03JT12-247
Hersteller / Marke

GeneSiC Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GA03JT12-247.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

-
Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247AB
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

460 mOhm @ 3A
Verlustleistung (max)

15W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

1242-1164
GA03JT12247
Betriebstemperatur

175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Typ FET

-
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V
detaillierte Beschreibung

1200V 3A (Tc) (95°C) 15W (Tc) Through Hole TO-247AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3A (Tc) (95°C)

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Das Folgende sind "GA03JT12-247" -Einziper.

GA0402A100JXBAC31G

Beschreibung: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GA03JT12-247

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