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786315GB02SHT06-46-Bild.GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

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$52.713
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GB02SHT06-46
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 600V 4A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    GB02SHT06-46.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.6V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-46
  • Geschwindigkeit
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    0ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
  • Andere Namen
    1242-1256
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 225°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Silicon Carbide Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Silicon Carbide Schottky 600V 4A (DC) Through Hole TO-46
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    4A (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    76pF @ 1V, 1MHz

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Das Folgende sind "GB02SHT06-46" -Einziper.
GB02SLT12-214

GB02SLT12-214

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GB0504ADB1-8

GB0504ADB1-8

Beschreibung: FAN BLOWER 40X7.3MM 5VDC WIRE

Hersteller: Sunon
vorrätig
RFQ
GB02SLT12-252

GB02SLT12-252

Beschreibung: DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GB01SLT12-214

GB01SLT12-214

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2.5A SMB

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GB01SLT12-220

GB01SLT12-220

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GB04001

GB04001

Beschreibung: RF ANT 2.4GHZ STAMPED MET SLD

Hersteller: Ethertronics
vorrätig
RFQ
GB0400023

GB0400023

Beschreibung: CRYSTAL METAL CAN DIP49S

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
GB01SLT12-252

GB01SLT12-252

Beschreibung: DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GB0400034

GB0400034

Beschreibung: CRYSTAL 4.0000MHZ 30PF TH

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
GB02SHT03-46

GB02SHT03-46

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 300V 4A

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GB02SLT12-220

GB02SLT12-220

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GB01SLT06-214

GB01SLT06-214

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GB0400005

GB0400005

Beschreibung: CRYSTAL 4.0000MHZ 16PF TH

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
GB0503PFV1-8 B1837.GN

GB0503PFV1-8 B1837.GN

Beschreibung: FAN BLOWER 30X10MM 5VDC WIRE

Hersteller: Sunon
vorrätig
RFQ
GB04001-S

GB04001-S

Beschreibung: RF ANTENNA WIFI/ISM/BT/ZIGBEE

Hersteller: Ethertronics
vorrätig
RFQ
GB02SHT01-46

GB02SHT01-46

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 4A

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GB0400039

GB0400039

Beschreibung: CRYSTAL 4.0000MHZ 20PF TH

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
GB02SLT06-214

GB02SLT06-214

Beschreibung: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GB015Z101MA6N

GB015Z101MA6N

Beschreibung: CAP CER 100PF 50V X7R SMD

Hersteller: AVX Corporation
vorrätig
RFQ
GB0502PFV1-8.B2393.GN

GB0502PFV1-8.B2393.GN

Beschreibung: FAN BLOWER 25X10MM 5VDC WIRE

Hersteller: Sunon
vorrätig
RFQ
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