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MBR200200CTR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MBR200200CTR
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MBR200200CTR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    920mV @ 100A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Twin Tower
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Twin Tower
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    4 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Anode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 200V 100A Chassis Mount Twin Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    3mA @ 200V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    100A

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MBR200100CTR

MBR200100CTR

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR200100CTS

MBR200100CTS

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A SOT227

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR200100CT

MBR200100CT

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR20040CTR

MBR20040CTR

Beschreibung: DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR200150CTR

MBR200150CTR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR20045CTR

MBR20045CTR

Beschreibung: DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR20035CT

MBR20035CT

Beschreibung: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR20030CT

MBR20030CT

Beschreibung: DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR18045E3/TU

MBR18045E3/TU

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 18A 45V TO-220AC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MBR1H100SFT3G

MBR1H100SFT3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR20040CT

MBR20040CT

Beschreibung: DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR20020CT

MBR20020CT

Beschreibung: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR20020CTR

MBR20020CTR

Beschreibung: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR180S1-7

MBR180S1-7

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 1A SOD123

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
MBR200150CT

MBR200150CT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR16H60HE3/45

MBR16H60HE3/45

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MBR20045CT

MBR20045CT

Beschreibung: DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR200200CT

MBR200200CT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR20030CTR

MBR20030CTR

Beschreibung: DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
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MBR20035CTR

MBR20035CTR

Beschreibung: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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