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754200MBR30030CTR-Bild.GeneSiC Semiconductor

MBR30030CTR

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  • Artikelnummer
    MBR30030CTR
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.MBR30030CTR.pdf
    2.MBR30030CTR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    650mV @ 150A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    30V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Twin Tower
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Twin Tower
  • Andere Namen
    MBR30030CTRGN
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    4 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Anode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 30V 300A (DC) Chassis Mount Twin Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    8mA @ 20V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    300A (DC)

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Beschreibung: DIODE MODULE 45V 300A 2TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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