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5903841S12D-Bild.GeneSiC Semiconductor

S12D

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$4.369
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S12D
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.S12D.pdf
    2.S12D.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    12A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-4
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Andere Namen
    1242-1234
    S12DGN
    S12DGN-ND
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    S12D
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 200V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 50V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.1V @ 12A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Zahlung
Das Folgende sind "S12D" -Einziper.
S12BR

S12BR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12B-XASK-1(LF)(SN)

S12B-XASK-1(LF)(SN)

Beschreibung: XA HEADER (SIDE)

Hersteller: JST
vorrätig
RFQ
S12GC V7G

S12GC V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12GC R7G

S12GC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12B-ZR-SM3A-TF

S12B-ZR-SM3A-TF

Beschreibung: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Hersteller: JST
vorrätig
RFQ
S12B-ZR(LF)(SN)

S12B-ZR(LF)(SN)

Beschreibung: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Hersteller: JST
vorrätig
RFQ
S12DR

S12DR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

Beschreibung: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Hersteller: JST
vorrätig
RFQ
S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

Beschreibung: CONN HEADER ZH SMT 12POS 1.5MM

Hersteller: JST
vorrätig
RFQ
S12GR

S12GR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12J

S12J

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12B-XADSS-N(LF)(SN)

S12B-XADSS-N(LF)(SN)

Beschreibung: CONN HDR XAD 12POS 2.5MM TIN SE

Hersteller: JST
vorrätig
RFQ
S12G

S12G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12B-XH-A(LF)(SN)

S12B-XH-A(LF)(SN)

Beschreibung: CONN HEADER XH SIDE 12POS 2.5MM

Hersteller: JST
vorrätig
RFQ
S12B-ZR

S12B-ZR

Beschreibung: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Hersteller: JST
vorrätig
RFQ
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12GC V6G

S12GC V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12B-XADSS-N

S12B-XADSS-N

Beschreibung: CONN HDR XAD 12POS 2.5MM TIN SE

Hersteller: JST
vorrätig
RFQ
S12GC M6G

S12GC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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