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S6G

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200+
$3.189
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S6G
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 6A DO4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.S6G.pdf
    2.S6G.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    6A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-4
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Andere Namen
    S6GGN
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    S6G
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 400V 6A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 100V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 6A DO4
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.1V @ 6A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    400V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Zahlung
Das Folgende sind "S6G" -Einziper.
1N3671AR

1N3671AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N7053UR-1

1N7053UR-1

Beschreibung: SCHOTTKY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
V12P12HM3_A/H

V12P12HM3_A/H

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
HS3G M6G

HS3G M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2BHE3/52T

ES2BHE3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8ETH06-N3

VS-8ETH06-N3

Beschreibung: DIODE HYPERFAST 8A 600V TO-220

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
ES3GHE3/9AT

ES3GHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UFS560GE3/TR13

UFS560GE3/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
RURP15100

RURP15100

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220AC

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FR40G05

FR40G05

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 40A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S6GR

S6GR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
CMHD4448 BK

CMHD4448 BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
APD340VP-G1

APD340VP-G1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO27

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
A430D

A430D

Beschreibung: DIODE GP 400V 1000A DO200AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
STPS1150A

STPS1150A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 1A SMA

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
SF41GHB0G

SF41GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
STTH20R04D

STTH20R04D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 20A TO220AC

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
GS2M-LTP

GS2M-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
SIDC10D120H6X1SA5

SIDC10D120H6X1SA5

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NSD16F3T5G

NSD16F3T5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT1123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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