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S6K

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200+
$4.617
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S6K
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 6A DO4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.S6K.pdf
    2.S6K.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    6A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-4
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Andere Namen
    S6KGN
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    S6K
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 800V 6A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 100V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 6A DO4
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.1V @ 6A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    800V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Das Folgende sind "S6K" -Einziper.
RSFDLHR3G

RSFDLHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 500MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
APT60D60BG

APT60D60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
GP10DEHM3/73

GP10DEHM3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
B245AE-13

B245AE-13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 2A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S6KR

S6KR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
SPV1002T40

SPV1002T40

Beschreibung: DIODE GEN PURP 40V 16A TO220

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
UPS1040E3/TR13

UPS1040E3/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 10A POWERMITE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
LLSD103A-13

LLSD103A-13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 350MA MINMELF

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
VBT2080S-M3/8W

VBT2080S-M3/8W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20A 80V TO-263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4933-TP

1N4933-TP

Beschreibung: DIODE GPP FAST 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
BYG21MHM2G

BYG21MHM2G

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
EGL41BHE3_A/H

EGL41BHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
JANTX1N5616US

JANTX1N5616US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
RGP15MHE3/73

RGP15MHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SE12DJHM3/I

SE12DJHM3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3.2A TO263AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-VSKE196/12PBF

VS-VSKE196/12PBF

Beschreibung: DIODE GP 1.2KV 195A INTAPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FESF16FTHE3/45

FESF16FTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 16A ITO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SS210-M3/52T

SS210-M3/52T

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VBT3045BP-M3/8W

VBT3045BP-M3/8W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO-263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRD3CH11DD6

IRD3CH11DD6

Beschreibung: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
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