Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > LSIC2SD120A05
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2357417LSIC2SD120A05-Bild.Hamlin / Littelfuse

LSIC2SD120A05

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$6.64
10+
$5.933
25+
$5.339
100+
$4.865
250+
$4.39
500+
$3.939
1000+
$3.322
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    LSIC2SD120A05
  • Hersteller / Marke
    Hamlin / Littelfuse
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    LSIC2SD120A05.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.8V @ 5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220-2
  • Geschwindigkeit
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    Gen2
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    0ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2
  • Andere Namen
    F10087
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    25 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Silicon Carbide Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 17.5A (DC) Through Hole TO-220-2
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    17.5A (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    310pF @ 1V, 1MHz

Intel erhält Subventionen in Höhe von 7,86 Milliarden US ...

2024/11/27

AMD startet den Bau der zweiten Phase des Bangalore Design ...

2024/11/26

Die NVIDIA RTX 5090 -Grafikkarte hat eine GPU -Fläche von ...

2024/11/25

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "LSIC2SD120A05" -Einziper.
RS3AHE3_A/H

RS3AHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-31DQ03

VS-31DQ03

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 3.3A C16

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
LSIC2SD120C05

LSIC2SD120C05

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
UFS515J/TR13

UFS515J/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 5A DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
LSIC1MO120E0080

LSIC1MO120E0080

Beschreibung: MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
MUR4L40 B0G

MUR4L40 B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
EGP10BE-E3/54

EGP10BE-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4006-N-2-3-AP

1N4006-N-2-3-AP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
S3DB M4G

S3DB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5406GHA0G

1N5406GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
EU02ZW

EU02ZW

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
SS25LHMTG

SS25LHMTG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
LSIC2SD120A15

LSIC2SD120A15

Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

Beschreibung: SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

Beschreibung: SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
LSIC2SD120A20

LSIC2SD120A20

Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.