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7006S55GB

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    7006S55GB
  • Hersteller / Marke
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 128K PARALLEL 68PGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    7006S55GB.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    55ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    68-PGA (29.46x29.46)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    68-BPGA
  • Andere Namen
    IDT7006S55GB
    IDT7006S55GB-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 125°C (TA)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Kb (16K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 128Kb (16K x 8) Parallel 55ns 68-PGA (29.46x29.46)
  • Zugriffszeit
    55ns

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7006S55PFI8

7006S55PFI8

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
7006S25PF8

7006S25PF8

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
7006S55J8

7006S55J8

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
7006S35J8

7006S35J8

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
7006S55G

7006S55G

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 68PGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
7006S35G

7006S35G

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 68PGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
7006S35PF8

7006S35PF8

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
7007

7007

Beschreibung: POST BINDING ECON NYLON-INS BLK

Hersteller: Keystone Electronics Corp.
vorrätig
RFQ
7006S35PF

7006S35PF

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
7006S55PF8

7006S55PF8

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
7006S55JI

7006S55JI

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
7006S70GB

7006S70GB

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 68PGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
7006S55PF

7006S55PF

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
7006S55PFI

7006S55PFI

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
7006S55J

7006S55J

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
7006S45J8

7006S45J8

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
7006S35J

7006S35J

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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7006S35GB

7006S35GB

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 68PGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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7006S55JI8

7006S55JI8

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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7006S45J

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