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70P254L55BYGI8

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    70P254L55BYGI8
  • Hersteller / Marke
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 128K PARALLEL 81CABGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    70P254L55BYGI8.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    55ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    81-CABGA (5x5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    81-TFBGA
  • Andere Namen
    IDT70P254L55BYGI8
    IDT70P254L55BYGI8-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Kb (8K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 128Kb (8K x 16) Parallel 55ns 81-CABGA (5x5)
  • Zugriffszeit
    55ns

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Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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70P264L40BYGI8

70P264L40BYGI8

Beschreibung: IC SRAM 256K PARALLEL 81CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
RFQ
70P259L90BYGI8

70P259L90BYGI8

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
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70P254L55BYGI

70P254L55BYGI

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 81CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
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70P259L65BYGI8

70P259L65BYGI8

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
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70P249L90BYGI

70P249L90BYGI

Beschreibung: IC SRAM 64K PARALLEL 100CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
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70P249L65BYGI8

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Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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70P249L90BYGI8

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vorrätig
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