70V06S35J

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Spezifikation

Artikelnummer

70V06S35J
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.70V06S35J.pdf
2.70V06S35J.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

35ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

68-PLCC (24.21x24.21)
Serie

-
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

68-LCC (J-Lead)
Andere Namen

IDT70V06S35J
IDT70V06S35J-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Kb (16K x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 128Kb (16K x 8) Parallel 35ns 68-PLCC (24.21x24.21)
Basisteilenummer

IDT70V06
Zugriffszeit

35ns

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "70V06S35J" -Einziper.

70V06S55J8

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V06S35J

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