70V06S55PF8

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Spezifikation

Artikelnummer

70V06S55PF8
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.70V06S55PF8.pdf
2.70V06S55PF8.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

55ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

64-TQFP (14x14)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

64-LQFP
Andere Namen

IDT70V06S55PF8
IDT70V06S55PF8-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Kb (16K x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 128Kb (16K x 8) Parallel 55ns 64-TQFP (14x14)
Basisteilenummer

IDT70V06
Zugriffszeit

55ns

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Das Folgende sind "70V06S55PF8" -Einziper.

70V06S35PF8

Beschreibung: IC SRAM 128K PARALLEL 64TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V06S55PF8

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