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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > 70V657S12DR

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1217734

70V657S12DR-Bild.

IDT (Integrated Device Technology)

70V657S12DR

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Spezifikation

Artikelnummer

70V657S12DR
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.70V657S12DR.pdf
2.70V657S12DR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

12ns
Spannungsversorgung

3.15 V ~ 3.45 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

208-PQFP (28x28)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

208-BFQFP
Andere Namen

IDT70V657S12DR
IDT70V657S12DR-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

1.125Mb (32K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28)
Basisteilenummer

IDT70V657
Zugriffszeit

12ns

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Das Folgende sind "70V657S12DR" -Einziper.

70V657S15DR

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S15BC8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S12DRI

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S12BFI8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S15BF8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S12BC8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S15BC

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S12BF8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S12BCGI

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S12BFGI

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S12DRGI

70V657S12DRGI

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S12BFI

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S12BCI8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S12BF

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V658S10BC8

Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S15BF

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V658S10BC

Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S12BCI

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V658S10BCG

Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V657S12BFGI8

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

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