70V9389L7PF8

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Spezifikation

Artikelnummer

70V9389L7PF8
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

70V9389L7PF8.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

100-TQFP (14x14)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

100-LQFP
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

1.125Mb (64K x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (64K x 18) Parallel 7.5ns 100-TQFP (14x14)
Zugriffszeit

7.5ns

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Das Folgende sind "70V9389L7PF8" -Einziper.

70V9389L7PF

Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70V9389L7PF8

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