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22949771T75602S133BGI-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

71T75602S133BGI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    71T75602S133BGI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.375 V ~ 2.625 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous ZBT
  • Supplier Device-Gehäuse
    119-PBGA (14x22)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    119-BGA
  • Andere Namen
    IDT71T75602S133BGI
    IDT71T75602S133BGI-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 119-PBGA (14x22)
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Basisteilenummer
    IDT71T75
  • Zugriffszeit
    4.2ns
71T75602S100BGI8

71T75602S100BGI8

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
71T75602S100BGGI

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
71T75602S133BG8

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Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
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Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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