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71T75802S100BGGI8

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    71T75802S100BGGI8
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.375 V ~ 2.625 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous ZBT
  • Supplier Device-Gehäuse
    119-PBGA (14x22)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    119-BGA
  • Andere Namen
    IDT71T75802S100BGGI8
    IDT71T75802S100BGGI8-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    18Mb (1M x 18)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 100MHz 5ns 119-PBGA (14x22)
  • Uhrfrequenz
    100MHz
  • Basisteilenummer
    IDT71T75
  • Zugriffszeit
    5ns
71T75602S166BGI8

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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