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418618471V416L10BEG8-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

71V416L10BEG8

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    71V416L10BEG8
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    10ns
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-CABGA (9x9)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFBGA
  • Andere Namen
    IDT71V416L10BEG8
    IDT71V416L10BEG8-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 48-CABGA (9x9)
  • Basisteilenummer
    IDT71V416
  • Zugriffszeit
    10ns
71V416L10YGI

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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71V3579S80PFGI

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Beschreibung: IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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71V3579S85PFG

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Beschreibung: IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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71V416L10PHGI8

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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71V416L10YGI8

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

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71V416L10BEG

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

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71V416L10PHG

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71V416L12BE8

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

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71V3579S85PFGI8

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Beschreibung: IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

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71V416L10PHG8

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71V416L10BE

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71V416L10YG

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

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71V416L12BE

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