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71V65603S133BGGI

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  • Artikelnummer
    71V65603S133BGGI
  • Hersteller / Marke
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    71V65603S133BGGI.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous ZBT
  • Supplier Device-Gehäuse
    119-PBGA (14x22)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    119-BGA
  • Andere Namen
    IDT71V65603S133BGGI
    IDT71V65603S133BGGI-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    9Mb (256K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 119-PBGA (14x22)
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Basisteilenummer
    IDT71V65603
  • Zugriffszeit
    4.2ns

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Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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71V65603S133BQ

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

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Beschreibung: IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
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