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608264371V65803S100BGGI-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

71V65803S100BGGI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    71V65803S100BGGI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous ZBT
  • Supplier Device-Gehäuse
    119-PBGA (14x22)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    119-BGA
  • Andere Namen
    IDT71V65803S100BGGI
    IDT71V65803S100BGGI-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    9Mb (512K x 18)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 100MHz 5ns 119-PBGA (14x22)
  • Uhrfrequenz
    100MHz
  • Basisteilenummer
    IDT71V65803
  • Zugriffszeit
    5ns
71V65803S100BGG8

71V65803S100BGG8

Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
71V65803S100PFG

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
71V65703S85PFG8

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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71V65803S100BGGI8

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71V65703S85PFGI8

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Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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71V65803S100BQI

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

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71V65803S100BQG8

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71V65803S100PFGI

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

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71V65803S100BQ

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71V65703S85BQI8

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