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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > 71V67602S150PFGI
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664907971V67602S150PFGI-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

71V67602S150PFGI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    71V67602S150PFGI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    100-TQFP (14x14)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    100-LQFP
  • Andere Namen
    IDT71V67602S150PFGI
    IDT71V67602S150PFGI-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    9Mb (256K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 150MHz 3.8ns 100-TQFP (14x14)
  • Uhrfrequenz
    150MHz
  • Basisteilenummer
    IDT71V67602
  • Zugriffszeit
    3.8ns
71V67603S133BG

71V67603S133BG

Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
71V67603S133BGG8

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
71V67602S150PFGI8

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
71V67602S166BGG

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Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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71V67602S150BGG

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