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1762606IDT71T75602S200PFG-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

IDT71T75602S200PFG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IDT71T75602S200PFG
  • Hersteller / Marke
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IDT71T75602S200PFG.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.375 V ~ 2.625 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous ZBT
  • Supplier Device-Gehäuse
    100-TQFP (14x14)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    100-LQFP
  • Andere Namen
    71T75602S200PFG
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.2ns 100-TQFP (14x14)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Basisteilenummer
    IDT71T75
  • Zugriffszeit
    3.2ns

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71T75702S75BG8

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

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IDT71T75602S166PFI8

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

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IDT71T75702S75BG

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

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