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5614090IDT71V25761YS200PF8-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

IDT71V25761YS200PF8

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IDT71V25761YS200PF8
  • Hersteller / Marke
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1.IDT71V25761YS200PF8.pdf
    2.IDT71V25761YS200PF8.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    100-TQFP (14x20)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    100-LQFP
  • Andere Namen
    71V25761YS200PF8
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4.5Mb (128K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 5ns 100-TQFP (14x20)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Basisteilenummer
    IDT71V25761
  • Zugriffszeit
    5ns

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Beschreibung: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Beschreibung: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Beschreibung: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Beschreibung: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

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Beschreibung: IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

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