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6253000IDT71V424YL15PHI-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

IDT71V424YL15PHI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IDT71V424YL15PHI
  • Hersteller / Marke
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1.IDT71V424YL15PHI.pdf
    2.IDT71V424YL15PHI.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Andere Namen
    71V424YL15PHI
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 15ns 44-TSOP II
  • Basisteilenummer
    IDT71V424
  • Zugriffszeit
    15ns

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
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IDT71V424YS12PHI

IDT71V424YS12PHI

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
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IDT71V424YL10PH

IDT71V424YL10PH

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
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IDT71V424YS12Y

IDT71V424YS12Y

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
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IDT71V424YL10PHI8

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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IDT71V424YS10PH

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IDT71V424YL15PH

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IDT71V424YS10PHI

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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