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5614143IDT71V65802S100BQ-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

IDT71V65802S100BQ

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IDT71V65802S100BQ
  • Hersteller / Marke
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    IDT71V65802S100BQ.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous ZBT
  • Supplier Device-Gehäuse
    165-CABGA (13x15)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    165-TBGA
  • Andere Namen
    71V65802S100BQ
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    9Mb (512K x 18)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 100MHz 5ns 165-CABGA (13x15)
  • Uhrfrequenz
    100MHz
  • Basisteilenummer
    IDT71V65802
  • Zugriffszeit
    5ns

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Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
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IDT71V65802S133BG

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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