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2331376IS25LP512M-JLLE-TR-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS25LP512M-JLLE-TR

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  • Artikelnummer
    IS25LP512M-JLLE-TR
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 512M SPI 133MHZ 8WSON
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IS25LP512M-JLLE-TR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    1.6ms
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-WSON (8x6)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-WDFN Exposed Pad
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    SPI - Quad I/O, QPI, DTR
  • Speicherformat
    FLASH
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) SPI - Quad I/O, QPI, DTR 133MHz 8-WSON (8x6)
  • Uhrfrequenz
    133MHz

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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC FLASH 256M SERIAL 24TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 133MHZ 8WSON

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC FLASH 256M SERIAL 16SOIC

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 24TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC FLASH 512M SPI 24TFBGA

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