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  • Artikelnummer
    IS42RM16160E-75BLI
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IS42RM16160E-75BLI.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 3 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-TFBGA (8x8)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    54-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 133MHz 6ns 54-TFBGA (8x8)
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Zugriffszeit
    6ns

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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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Beschreibung: IC DRAM 4M PARALLEL 40TSOP

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Beschreibung: IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

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Beschreibung: IC SDRAM 256M 133MHZ 90BGA

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Beschreibung: IC DRAM 4M PARALLEL 40TSOP

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