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6571778IS42S16100E-7B-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S16100E-7B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS42S16100E-7B
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1.IS42S16100E-7B.pdf
    2.IS42S16100E-7B.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-TFBGA (6.4x10.1)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    16Mb (1M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 143MHz 5.5ns 60-TFBGA (6.4x10.1)
  • Uhrfrequenz
    143MHz
  • Zugriffszeit
    5.5ns

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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S16100E-7BI

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IS42S16100E-6TLI

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