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1512521IS42S16160B-6T-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S16160B-6T

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  • Artikelnummer
    IS42S16160B-6T
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1.IS42S16160B-6T.pdf
    2.IS42S16160B-6T.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns

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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54LFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
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IS42S16160B-7B

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54LFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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IS42S16100H-7TL

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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IS42S16160B-6BL

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54LFBGA

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54LFBGA

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