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IS42S16160G-7BI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS42S16160G-7BI
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-TFBGA (8x8)
  • Serie
    -
  • Verpackung / Gehäuse
    54-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
  • Uhrfrequenz
    143MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 166MHZ

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S16160G-6TI

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 166MHZ

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S16160G-6BLI-TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S16160G-6TL

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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IS42S16160G-6BL

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IS42S16160G-7BL-TR

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IS42S16160G-6TLI

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IS42S16160G-7BLI

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