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2244382IS42S16800E-6TL-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S16800E-6TL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS42S16800E-6TL
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.IS42S16800E-6TL.pdf
    2.IS42S16800E-6TL.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns

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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S16800E-75ETL

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S16800D-7B

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S16800E-6TLI

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IS42S16800D-7TI

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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IS42S16800E-6BL

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