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6083290IS42S32400B-7BLI-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S32400B-7BLI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS42S32400B-7BLI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    90-TFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    90-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
  • Uhrfrequenz
    143MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns
IS42S32400B-7BI

IS42S32400B-7BI

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
IS42S32400B-7TI

IS42S32400B-7TI

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
IS42S32400B-7BL

IS42S32400B-7BL

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
IS42S32400B-7BL-TR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

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IS42S32400B-7BLI-TR

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vorrätig
IS42S32400B-7TL-TR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32400B-6T-TR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32400B-7B-TR

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IS42S32400B-7TI-TR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32400D-6B

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

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vorrätig
IS42S32400B-7TLI

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32400B-7TL

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32400B-7B

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IS42S32400B-6TL

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