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2433532IS42S32800B-6BI-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S32800B-6BI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS42S32800B-6BI
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1.IS42S32800B-6BI.pdf
    2.IS42S32800B-6BI.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    90-TFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    90-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA (8x13)
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    5.5ns

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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