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3860511IS42VM32160D-75BLI-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42VM32160D-75BLI

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  • Artikelnummer
    IS42VM32160D-75BLI
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IS42VM32160D-75BLI.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile
  • Supplier Device-Gehäuse
    90-TFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    90-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (16M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 133MHz 6ns 90-TFBGA (8x13)
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Zugriffszeit
    6ns

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

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Beschreibung: IC DRAM 32M PARALLEL 133MHZ

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