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5472081IS43DR16640C-3DBLI-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43DR16640C-3DBLI

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  • Artikelnummer
    IS43DR16640C-3DBLI
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IS43DR16640C-3DBLI.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    84-TWBGA (8x12.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    84-TFBGA
  • Andere Namen
    706-1565
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 333MHz 450ns 84-TWBGA (8x12.5)
  • Uhrfrequenz
    333MHz
  • Zugriffszeit
    450ns

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

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