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2757875IS43LR16160G-6BL-TR-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43LR16160G-6BL-TR

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  • Artikelnummer
    IS43LR16160G-6BL-TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-TFBGA (8x10)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.5ns 60-TFBGA (8x10)
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    5.5ns
IS43LR16160G-6BLI-TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 32M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 32M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
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Beschreibung: IC DRAM 32M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

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