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1706766IS43LR32100C-6BLI-TR-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43LR32100C-6BLI-TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS43LR32100C-6BLI-TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    12ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    90-TFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    90-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    32Mb (1M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 32Mb (1M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA (8x13)
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    5.5ns
IS43LR16800F-6BLI-TR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
IS43LR32100C-6BL

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Beschreibung: IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
IS43LR32100D-6BL

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Beschreibung: IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
IS43LR32160B-6BL

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

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IS43LR32100C-6BLI

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IS43LR16800G-6BLI-TR

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