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5905196IS43R16160B-5TL-TR-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43R16160B-5TL-TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS43R16160B-5TL-TR
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.IS43R16160B-5TL-TR.pdf
    2.IS43R16160B-5TL-TR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Zugriffszeit
    700ps

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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA

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