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IS43R16320E-6BI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS43R16320E-6BI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-TFBGA (13x8)
  • Serie
    -
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512M (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 512M (32M x 16) Parallel 166MHz 700ps 60-TFBGA (13x8)
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    700ps
IS43R16320F-5BLI

IS43R16320F-5BLI

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
IS43R16320D-6TL

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
IS43R16320E-5BLI-TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

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IS43R16320E-5BLI

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IS43R16320E-5BL

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IS43R16320E-6TLI

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IS43R16320D-6TLI

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IS43R16320E-6BL

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IS43R16320E-6BL-TR

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