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5248341IS43R16800E-5TLI-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43R16800E-5TLI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS43R16800E-5TLI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Zugriffszeit
    700ps
IS43R16800E-6TL

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
IS43R16800A-5TL-TR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 144LFBGA

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IS43R16800E-6TLI

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IS43R32400E-4B

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