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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS43R86400D-5BL-TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.5 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-TFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Zugriffszeit
    700ps
IS43R86400D-6BL-TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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