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4828645IS43R86400F-6TLI-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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  • Artikelnummer
    IS43R86400F-6TLI
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IS43R86400F-6TLI.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    700ps

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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

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