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869957IS46TR16128A-15HBLA1-TR-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS46TR16128A-15HBLA1-TR

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  • Artikelnummer
    IS46TR16128A-15HBLA1-TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3
  • Supplier Device-Gehäuse
    96-TWBGA (9x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    96-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 667MHz 20ns 96-TWBGA (9x13)
  • Uhrfrequenz
    667MHz
  • Zugriffszeit
    20ns
IS46TR16128AL-125KBLA2

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
IS46TR16128AL-15HBLA1

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46R86400D-6TLA1

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46TR16128A-15HBLA2-TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46TR16128AL-125KBLA2-TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

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IS46TR16128A-125KBLA2

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

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IS46R16320E-6TLA2-TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

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IS46TR16128A-125KBLA1

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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