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996274IS49NLC93200-33BL-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS49NLC93200-33BL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS49NLC93200-33BL
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IS49NLC93200-33BL.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    DRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    144-FCBGA (11x18.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    144-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    288Mb (32M x 9)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    DRAM Memory IC 288Mb (32M x 9) Parallel 300MHz 20ns 144-FCBGA (11x18.5)
  • Uhrfrequenz
    300MHz
  • Zugriffszeit
    20ns

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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS49NLC36800-33BL

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Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

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IS49NLC93200-25BI

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Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

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IS49NLC93200-25WBLI

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Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ

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