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IS49RL18320-107BLI

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  • Artikelnummer
    IS49RL18320-107BLI
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IS49RL18320-107BLI.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.28 V ~ 1.42 V
  • Technologie
    DRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    168-LBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    576Mb (32M x 18)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 933MHz 10ns 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
  • Uhrfrequenz
    933MHz
  • Zugriffszeit
    10ns

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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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