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IS61LPD102418A-200TQI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS61LPD102418A-200TQI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3.135 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    100-TQFP (14x20)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    100-LQFP
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    18Mb (1M x 18)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 200MHz 3.1ns 100-TQFP (14x20)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Zugriffszeit
    3.1ns
IS61LPD51236A-200B3-TR

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
IS61LPD102418A-200B3I

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61LP6436A-133TQLI-TR

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Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
IS61LPD102418A-250B3I-TR

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
IS61LP6432A-133TQLI-TR

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Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61LP6436A-133TQ-TR

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Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

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Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

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IS61LP6436A-133TQ

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IS61LPD25636A-200TQLI

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IS61LPD102418A-250B3

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