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415924IS61LV6416-10BLI-TR-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61LV6416-10BLI-TR

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  • Artikelnummer
    IS61LV6416-10BLI-TR
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.IS61LV6416-10BLI-TR.pdf
    2.IS61LV6416-10BLI-TR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    10ns
  • Spannungsversorgung
    3.135 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-miniBGA (6x8)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Mb (64K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 10ns 48-miniBGA (6x8)
  • Zugriffszeit
    10ns

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

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